4F²는 D램에서 어떤 구조를 뜻하나요?

4F²는 반도체 메모리 셀의 면적을 줄이기 위한 구조를 가리킵니다. F는 공정의 최소 선폭을 뜻하며, 셀 면적을 작게 설계해 집적도를 높이는 데 쓰입니다.

2026년 10월 16일 금요일 발행

삼성전자, 4F² D램 기술 개발 재확인

삼성전자가 차세대 D램 셀 구조로 꼽히는 4F² 기술을 개발 중이라고 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 사장이 확인했어요. 삼성전자는 이 기술을 약 5년 전부터 연구해 왔어요.

삼성전자는 메모리 셀 구조를 수직으로 세우는 VCT D램 형태로 4F²를 고도화하고 있어요. D램은 데이터를 저장하는 셀을 촘촘히 구성하는 메모리인데, 4F²는 그 셀 면적을 줄이기 위한 구조를 가리켜요.

업계에서는 삼성전자가 차세대 3D D램과 수직 구조 공정 노드인 D0a에 이 기술을 적용할 계획이라고 전해요. 다만 송 사장은 구체적인 개발 상황에는 말을 아꼈어요.

이 이슈는 두 시각으로 나누기보다 사실과 맥락을 중심으로 정리했어요.

4F²: 반도체 메모리 셀의 면적을 줄이기 위한 구조를 가리키는 표현이에요. F는 공정의 최소 선폭을 뜻하며, 셀 면적을 작게 설계해 집적도를 높이는 데 쓰입니다.
VCT D램: 메모리 셀의 채널 구조를 수직으로 세우는 방식의 D램 구조예요. 제한된 면적에 셀을 더 촘촘히 배치하기 위한 기술 방향입니다.

Q. 4F²는 D램에서 어떤 구조를 뜻하나요?: 4F²는 반도체 메모리 셀의 면적을 줄이기 위한 구조를 가리킵니다. F는 공정의 최소 선폭을 뜻하며, 셀 면적을 작게 설계해 집적도를 높이는 데 쓰입니다.