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용어 한 입

VCT D램

한 줄 뜻

VCT D램은 데이터 저장 셀의 트랜지스터 채널을 기판에 수직으로 형성해 집적도를 높이려는 차세대 D램 셀 구조이다.

한 입에 정리하면

  1. 01평면 미세화의 한계를 보완하는 구조예요
  2. 02셀 면적 축소로 고용량 구현에 유리해요
  3. 03수직 채널 형성·정렬 공정 난도가 높아요

왜 나온 말일까요?

기존 D램은 주로 실리콘 기판 위 평면 방향으로 셀을 줄여 더 많은 데이터를 담아 왔어요. 하지만 회로 선폭이 작아질수록 누설전류와 공정 변동을 제어하기 어려워져, 트랜지스터의 전류가 흐르는 채널을 세로 방향으로 세우는 VCT 구조가 대안으로 연구돼요. 이를 통해 제한된 칩 면적에 셀을 더 촘촘히 배치할 가능성이 있지만, 깊고 균일한 수직 구조를 만들고 특성을 안정적으로 맞추는 제조 기술이 중요해요.

예를 들어

차세대 고집적 D램에서 셀 면적을 줄이는 4F²급 설계와 결합할 수 있는 셀 트랜지스터 구조로 거론돼요.

이 용어가 나온 이슈 1

체리픽이 기사 원문이 아닌 사실관계를 바탕으로 쉽게 풀어 쓴 정의예요. 원문은 각 카드의 "더 읽기"에서 확인할 수 있어요.

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